2SC5076 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC5076  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 120 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 80 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TPS

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2SC5076 datasheet

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2SC5076

Ordering number EN4473 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5070 Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Driver Applications Features Package Dimensions High current capacity. unit mm Adoption of MBIT process. 2084A High DC current gain. [2SC5070] Low collector-to-emitter saturation voltage. 4.5 1.9 2.6 10.5 High VEBO. 1.2 1.4 1.2 0.5 1.6 0.5 1 2

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