2SC5198 Todos los transistores

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2SC5198 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC5198

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 140 V

Tensión colector-emisor (Vce): 140 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 30 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 170 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 55

Empaquetado / Estuche: TO3PN

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC5198

2SC5198 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5198b.pdf Size:208K _update

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RoHS 2SC5198B Series RoHS SEMICONDUCTOR Nell High Power Products Silicon NPN triple diffusion planar transistor 10A/140V/100W 15.6±0.4 4.8±0.2 9.6 2.0±0.1 Φ3.2±0,1 2 TO-3P(B) 3 +0.2 +0.2 0.65 1.05 -0.1 -0.1 FEATURES High breakdown voltage, VCEO =140V (min) 5.45±0.1 5.45±0.1 1.4 Complementary to 2SA1941B B C E TO-3P package which can be installed to the heat

1.2. 2sc5198.pdf Size:148K _toshiba

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2SC5198 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC5198 Power Amplifier Applications Unit: mm High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min) Complementary to 2SA1941 Suitable for use in 70-W high fidelity audio amplifiers output stage Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 140 V Collector-emitter voltag

1.3. 2sc5198.pdf Size:287K _inchange_semiconductor

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5198 DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Min) @IC= 7A ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SA1941 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 70W high fidelity audio frequency amplifier output stage applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

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