2N5804 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N5804
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 110 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 225 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N5804

2N5804 Datasheet (PDF)

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2n5804 2n5805.pdf

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5804 2N5805 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown APPLICATIONS Switching regulator Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETE

..2. Size:116K inchange semiconductor
2n5804 2n5805.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5804 2N5805 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown voltage APPLICATIONS Switching regulator Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=)

9.1. Size:317K rca
2n373 2n374 2n456 2n457 2n497 2n544 2n561 2n578 2n579 2n580.pdf