2N1176 Todos los transistores

2N1176 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N1176

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 35 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.3 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 70 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO5

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