2SC5317FT Todos los transistores

 

2SC5317FT . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC5317FT
   Código: MT
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 8 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 5 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 9000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TESM
 

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2SC5317FT Datasheet (PDF)

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2SC5317FT

2SC5317FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5317FT VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm (chip: fT = 16 GHz series) Low noise figure: NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain: |S |2 = 9dB (f = 2 GHz) 21eMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 8 VCollector-emitter voltage V

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2SC5317FT

2SC5317 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5317 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm (chip: fT = 16 GHz series) Low noise figure: NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain: Ga = 9dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 8 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmi

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2SC5317FT

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2SC5317FT

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History: BDV65B | 9016I | 2SB758A

 

 
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