2SC5317FT - описание и поиск аналогов

 

2SC5317FT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC5317FT

Маркировка: MT

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 8 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TESM

 Аналоги (замена) для 2SC5317FT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5317FT даташит

 ..1. Size:125K  toshiba
2sc5317ft.pdfpdf_icon

2SC5317FT

2SC5317FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5317FT VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm (chip fT = 16 GHz series) Low noise figure NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain S 2 = 9dB (f = 2 GHz) 21e Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 8 V Collector-emitter voltage V

 7.1. Size:121K  toshiba
2sc5317.pdfpdf_icon

2SC5317FT

2SC5317 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5317 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm (chip fT = 16 GHz series) Low noise figure NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain Ga = 9dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 8 V Collector-emitter voltage VCEO 5 V Emi

 8.1. Size:126K  toshiba
2sc5318.pdfpdf_icon

2SC5317FT

 8.2. Size:125K  toshiba
2sc5316.pdfpdf_icon

2SC5317FT

Другие транзисторы: 2SC5087R, 2SC5088, 2SC5092, 2SC5095, 2SC5096, 2SC5106, 2SC5107, 2SC5108, 13009, 2SC5319, MT3S03AU, MT3S04AU, MT3S07FS, MT3S07T, MT3S07U, MT3S11FS, MT3S15TU

 

 

 

 

↑ Back to Top
.