Справочник транзисторов. 2SC5317FT

 

Биполярный транзистор 2SC5317FT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC5317FT
   Маркировка: MT
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 8 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TESM
 

 Аналог (замена) для 2SC5317FT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5317FT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  toshiba
2sc5317ft.pdfpdf_icon

2SC5317FT

2SC5317FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5317FT VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm (chip: fT = 16 GHz series) Low noise figure: NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain: |S |2 = 9dB (f = 2 GHz) 21eMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 8 VCollector-emitter voltage V

 7.1. Size:121K  toshiba
2sc5317.pdfpdf_icon

2SC5317FT

2SC5317 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5317 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm (chip: fT = 16 GHz series) Low noise figure: NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain: Ga = 9dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 8 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmi

 8.1. Size:126K  toshiba
2sc5318.pdfpdf_icon

2SC5317FT

 8.2. Size:125K  toshiba
2sc5316.pdfpdf_icon

2SC5317FT

Другие транзисторы... 2SC5087R , 2SC5088 , 2SC5092 , 2SC5095 , 2SC5096 , 2SC5106 , 2SC5107 , 2SC5108 , BC548 , 2SC5319 , MT3S03AU , MT3S04AU , MT3S07FS , MT3S07T , MT3S07U , MT3S11FS , MT3S15TU .

History: BD215

 

 
Back to Top

 


 
.