MT3S03AU Todos los transistores

 

MT3S03AU . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MT3S03AU
   Código: MR
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 10 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 5 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: USM
 

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MT3S03AU Datasheet (PDF)

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MT3S03AU

MT3S03AU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S03AU VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure: NF = 1.4dB (f = 2 GHz) High gain: Gain = 8dB (f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 10 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmitter-base voltage VEBO 2

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History: 2SA1386A | HSBD375 | 2N6213 | KTC3552T | BC183AP | 2N6275A | BU3150

 

 
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