MT3S04AU . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MT3S04AU
Código: AE
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 10 V
Tensión colector-emisor (Vce): 5 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 7000 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: USM
Búsqueda de reemplazo de MT3S04AU
MT3S04AU Datasheet (PDF)
mt3s03au.pdf

MT3S03AU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S03AU VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure: NF = 1.4dB (f = 2 GHz) High gain: Gain = 8dB (f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 10 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmitter-base voltage VEBO 2
mt3s07t.pdf

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History: 2STW1695
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