Биполярный транзистор MT3S04AU - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MT3S04AU
Маркировка: AE
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: USM
MT3S04AU Datasheet (PDF)
mt3s03au.pdf
MT3S03AU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S03AU VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure: NF = 1.4dB (f = 2 GHz) High gain: Gain = 8dB (f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 10 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmitter-base voltage VEBO 2
mt3s07t.pdf
www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com
mt3s07fs.pdf
MT3S07FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S07FS Unit: mmVHF~UHF Band Low-Noise Amplifier Applications VHF~UHF Band Buffer Applications Superior performance in buffer applications 1 Superior noise characteristics 3: NF = 1.6 dB, |S |2 = 8 dB (f = 2 GHz) 21e 20.80.050.10.051.00.050.10.05Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050