MT3S07T Todos los transistores

 

MT3S07T Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MT3S07T

Código: AD

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 10 V

Tensión colector-emisor (Vce): 5 V

Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 12000 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TESM

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MT3S07T datasheet

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MT3S07T

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MT3S07T

MT3S07U PCB 24

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MT3S07T

MT3S07FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S07FS Unit mm VHF UHF Band Low-Noise Amplifier Applications VHF UHF Band Buffer Applications Superior performance in buffer applications 1 Superior noise characteristics 3 NF = 1.6 dB, S 2 = 8 dB (f = 2 GHz) 21e 2 0.8 0.05 0.1 0.05 1.0 0.05 0.1 0.05 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

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MT3S07T

MT3S03AU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S03AU VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure NF = 1.4dB (f = 2 GHz) High gain Gain = 8dB (f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 10 V Collector-emitter voltage VCEO 5 V Emitter-base voltage VEBO 2

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History: MH0813 | MJ10051 | MH0812 | DDTA143TE | ZXTC6719MC | MP38A | 2N5878

 

 

 

 

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