MT3S07T Todos los transistores

 

MT3S07T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MT3S07T
   Código: AD
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 10 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 5 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 12000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TESM
 

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MT3S07T Datasheet (PDF)

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MT3S07T

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MT3S07T

MT3S07U PCB24

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MT3S07T

MT3S07FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S07FS Unit: mmVHF~UHF Band Low-Noise Amplifier Applications VHF~UHF Band Buffer Applications Superior performance in buffer applications 1 Superior noise characteristics 3: NF = 1.6 dB, |S |2 = 8 dB (f = 2 GHz) 21e 20.80.050.10.051.00.050.10.05Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)

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MT3S07T

MT3S03AU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S03AU VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure: NF = 1.4dB (f = 2 GHz) High gain: Gain = 8dB (f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 10 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmitter-base voltage VEBO 2

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History: 2SB1124T | CV7396 | 2SB1086A | KSH13009 | MJE52 | STC201F | 2SD1284

 

 
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