MT4S06U Todos los transistores

 

MT4S06U . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MT4S06U
   Código: AC
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.06 W
   Tensión colector-base (Vcb): 10 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 5 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.015 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: USQ
 

 Búsqueda de reemplazo de MT4S06U

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MT4S06U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  toshiba
 mt4s06u.pdf pdf_icon

MT4S06U

 9.1. Size:102K  toshiba
 mt4s03au.pdf pdf_icon

MT4S06U

 9.2. Size:102K  toshiba
 mt4s03a.pdf pdf_icon

MT4S06U

MT4S03A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S03A VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure: NF = 1.4dB (f = 2 GHz) High gain: Gain = 9dB (f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 10 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmitter-base voltage VEBO 2 V

 9.3. Size:186K  toshiba
 mt4s03bu.pdf pdf_icon

MT4S06U

MT4S03BU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S03BU Unit: mmVHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Low Noise Figure: NF = 1.6dB (Typ.) (@f = 2GHz) High Gain: |S21e|2 = 9dB (Typ.) (@f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 1.Emitter1(E1) 2.Collector(C) Characteristic Symbol Unit Rating 3.Emitter2(E2) 4.Base(B) Collector-base

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: TIP107 | JE9092

 

 
Back to Top

 


 
.