Биполярный транзистор MT4S06U - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MT4S06U
Маркировка: AC
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.06 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.015 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: USQ
MT4S06U Datasheet (PDF)
mt4s03a.pdf
MT4S03A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S03A VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure: NF = 1.4dB (f = 2 GHz) High gain: Gain = 9dB (f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 10 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmitter-base voltage VEBO 2 V
mt4s03bu.pdf
MT4S03BU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S03BU Unit: mmVHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Low Noise Figure: NF = 1.6dB (Typ.) (@f = 2GHz) High Gain: |S21e|2 = 9dB (Typ.) (@f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 1.Emitter1(E1) 2.Collector(C) Characteristic Symbol Unit Rating 3.Emitter2(E2) 4.Base(B) Collector-base
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050