MT4S23U Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MT4S23U
Código: MT
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.17 W
Tensión colector-base (Vcb): 8 V
Tensión colector-emisor (Vce): 5 V
Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 16000 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 50
Encapsulados: USQ
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MT4S23U datasheet
mt4s23u.pdf
MT4S23U TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S23U Unit mm VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Low Noise Figure NF = 1.4dB (Typ.) (@f = 2 GHz) High Gain S21e 2 = 12dB (Typ.) (@f = 2 GHz) Compatible with 2SC5319 1.Emitter1(E1) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 2.Collector(C) 3.Emitter2(E2) 4.Base(B) Characteristic Symbol Ra
mt4s24u.pdf
MT4S24U TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S24U Unit mm VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Low Noise Figure NF = 1.55dB(Typ.) (@f = 2GHz) High Gain S21e 2 = 11.5dB(Typ.) (@f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1.Emitter1(E1) 2.Collector(C) Characteristic Symbol Unit Rating 3.Emitter2(E2) 4.Base(B) USQ Collector
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Liste
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