MT4S23U Todos los transistores

 

MT4S23U . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MT4S23U
   Código: MT
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.17 W
   Tensión colector-base (Vcb): 8 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 5 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 16000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: USQ
 

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MT4S23U Datasheet (PDF)

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MT4S23U

MT4S23U TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S23U Unit: mmVHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Low Noise Figure: NF = 1.4dB (Typ.) (@f = 2 GHz) High Gain: |S21e|2 = 12dB (Typ.) (@f = 2 GHz) Compatible with 2SC53191.Emitter1(E1) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 2.Collector(C) 3.Emitter2(E2) 4.Base(B) Characteristic Symbol Ra

 9.1. Size:167K  toshiba
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MT4S23U

MT4S24U TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S24U Unit: mmVHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Low Noise Figure: NF = 1.55dB(Typ.) (@f = 2GHz) High Gain: |S21e|2 = 11.5dB(Typ.) (@f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 1.Emitter1(E1) 2.Collector(C) Characteristic Symbol Unit Rating 3.Emitter2(E2) 4.Base(B) USQ Collector

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