MT4S23U datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MT4S23U  📄📄 

Маркировка: MT

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.17 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 8 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 16000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: USQ

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MT4S23U

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MT4S23U даташит

 ..1. Size:184K  toshiba
 mt4s23u.pdf pdf_icon

MT4S23U

MT4S23U TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S23U Unit mm VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Low Noise Figure NF = 1.4dB (Typ.) (@f = 2 GHz) High Gain S21e 2 = 12dB (Typ.) (@f = 2 GHz) Compatible with 2SC5319 1.Emitter1(E1) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 2.Collector(C) 3.Emitter2(E2) 4.Base(B) Characteristic Symbol Ra

 9.1. Size:167K  toshiba
 mt4s24u.pdf pdf_icon

MT4S23U

MT4S24U TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S24U Unit mm VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Low Noise Figure NF = 1.55dB(Typ.) (@f = 2GHz) High Gain S21e 2 = 11.5dB(Typ.) (@f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1.Emitter1(E1) 2.Collector(C) Characteristic Symbol Unit Rating 3.Emitter2(E2) 4.Base(B) USQ Collector

Другие транзисторы: MT3S22P, MT3S35FS, MT3S37FS, MT3S41FS, MT4S03A, MT4S03AU, MT4S03BU, MT4S06U, TIP31, MT4S24U, 2SB1015A, 2SB1016A, 2SB1018A, 2SB1020A, 2SB1594, 2SB1617, 2SB1640