Биполярный транзистор MT4S23U - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MT4S23U
Маркировка: MT
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.17 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 8 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 16000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: USQ
MT4S23U Datasheet (PDF)
mt4s23u.pdf
MT4S23U TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S23U Unit: mmVHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Low Noise Figure: NF = 1.4dB (Typ.) (@f = 2 GHz) High Gain: |S21e|2 = 12dB (Typ.) (@f = 2 GHz) Compatible with 2SC53191.Emitter1(E1) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 2.Collector(C) 3.Emitter2(E2) 4.Base(B) Characteristic Symbol Ra
mt4s24u.pdf
MT4S24U TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S24U Unit: mmVHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Low Noise Figure: NF = 1.55dB(Typ.) (@f = 2GHz) High Gain: |S21e|2 = 11.5dB(Typ.) (@f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 1.Emitter1(E1) 2.Collector(C) Characteristic Symbol Unit Rating 3.Emitter2(E2) 4.Base(B) USQ Collector
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS