TTB001 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TTB001
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 9 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 90 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TFP

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar TTB001

TTB001 Datasheet (PDF)

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ttb001.pdf

TTB001 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Diffused Type TTB001 Audio Frequency Power Amplifier Application Unit: mm Low collector saturation voltage : VCE (sat) = -1.7 V (max) High power dissipation : PC = 36 W (Tc = 25C) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -60 VCollector-emitter voltage VCEO -60 VEm

9.1. Size:189K toshiba
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TTB002 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Diffused Type (PCT process) TTB002 Audio Frequency Power Amplifier Application Unit: mm Low collector saturation voltage : VCE (sat) = -0.5 V (max) High power dissipation : PC = 30 W (Tc = 25C) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -60 VCollector-emitter voltage

9.2. Size:187K toshiba
ttb002 .pdf