HIT562 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HIT562
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 85
Paquete / Cubierta: TO92MOD
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HIT562
HIT562 Datasheet (PDF)
r07ds0448ej hit562-1.pdf
Preliminary Datasheet R07DS0448EJ0400HIT562 (Previous: REJ03G1503-0300)Rev.4.00Silicon PNP Epitaxial Jun 14, 2011Features Low frequency power amplifier Complementary pair with HIT468 Outline RENESAS Package code: PRSS0003DC-A(Package name: TO-92 Mod)1. Emitter2. Collector3. Base321Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Item Symbol Ratings Unit
hit5609.pdf
HIT5609(3DG5609) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, Purpose: Power amplifier and switching application, electronic governor applications. :, HIT5610(3CG5610) Features: Low saturation voltage, complementary pair with HIT5610(3CG5610). /Absolute maximum ratings(Ta=25
hit5610.pdf
HIT5610(3CG5610) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :, Purpose: Power amplifier and switching electronic application, governor applications. :, HIT5609(3DG5609) Features: Low saturation voltage, complementary pair with HIT5609(3DG5609). /Absolute maximum ratings(Ta=25
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