Биполярный транзистор HIT562 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HIT562
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
Корпус транзистора: TO92MOD
HIT562 Datasheet (PDF)
r07ds0448ej hit562-1.pdf
Preliminary Datasheet R07DS0448EJ0400HIT562 (Previous: REJ03G1503-0300)Rev.4.00Silicon PNP Epitaxial Jun 14, 2011Features Low frequency power amplifier Complementary pair with HIT468 Outline RENESAS Package code: PRSS0003DC-A(Package name: TO-92 Mod)1. Emitter2. Collector3. Base321Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Item Symbol Ratings Unit
hit5609.pdf
HIT5609(3DG5609) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, Purpose: Power amplifier and switching application, electronic governor applications. :, HIT5610(3CG5610) Features: Low saturation voltage, complementary pair with HIT5610(3CG5610). /Absolute maximum ratings(Ta=25
hit5610.pdf
HIT5610(3CG5610) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :, Purpose: Power amplifier and switching electronic application, governor applications. :, HIT5609(3DG5609) Features: Low saturation voltage, complementary pair with HIT5609(3DG5609). /Absolute maximum ratings(Ta=25
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050