2N5823 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5823
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 70 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.75 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
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2N5823 Datasheet (PDF)
2n5820 2n5821 2n5822 2n5823.pdf
TM2N5820 2N5822 NPNCentral2N5821 2N5823 PNPSemiconductor Corp.COMPLEMENTARYSILICON TRANSISTORSDESCRIPTION:The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5820 seriestypes are epoxy molded complementary siliconsmall signal transistors manufactured by theepitaxial planar process designed for generalpurpose amplifier applications where a highcollector current rating is required.MARKING COD
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Liste
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