FH105A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FH105A
Código: 105
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 8000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.45 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 90
Encapsulados: MCP6
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FH105A datasheet
fh105a.pdf
Ordering number ENA1126 FH105A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor High-Frequency Low-Noise Amplifier, FH105A Differential Amplifier Applications Features Composite type with 2 transistors contained in the MCP package currently in use, improving the mounting efficiency greatly. The FH105A is formed with two chips, being equivalen
fh105.pdf
Ordering number ENN6219 NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor FH105 High-Frequency Low-Noise Amplifier, Differential Amplifier Applications Features Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in the unit mm MCP package currently in use, improving the 2160 mounting efficiency greatly. [FH105] The FH105 is formed with two chips, being equiva- l
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History: BDX53D
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