FH105A Todos los transistores

 

FH105A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FH105A
   Código: 105
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.45 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: MCP6
 

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FH105A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  sanyo
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FH105A

Ordering number : ENA1126 FH105ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon Composite TransistorHigh-Frequency Low-Noise Amplifier,FH105ADifferential Amplifier ApplicationsFeatures Composite type with 2 transistors contained in the MCP package currently in use, improving the mounting efficiencygreatly. The FH105A is formed with two chips, being equivalen

 9.1. Size:63K  sanyo
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FH105A

Ordering number:ENN6219NPN Epitaxial Planar Silicon Composite TransistorFH105High-Frequency Low-Noise Amplifier,Differential Amplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in theunit:mmMCP package currently in use, improving the2160mounting efficiency greatly.[FH105] The FH105 is formed with two chips, being equiva-l

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