2N5828 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5828 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 90 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 400
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2N5828 datasheet
2n5820 2n5821 2n5822 2n5823.pdf
TM 2N5820 2N5822 NPN Central 2N5821 2N5823 PNP Semiconductor Corp. COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5820 series types are epoxy molded complementary silicon small signal transistors manufactured by the epitaxial planar process designed for general purpose amplifier applications where a high collector current rating is required. MARKING COD
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Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: KRC105S | 2N3634 | BFV97N | RN2701 | 2SD1265 | 2N3628 | KSC900G
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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