2SAR293P Todos los transistores

 

2SAR293P Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SAR293P
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 320 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 270
   Paquete / Cubierta: MPT3 SC63 SOT428
 

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2SAR293P datasheet

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2SAR293P

Midium Power Transistors (-30V / -1A) 2SAR293P Structure Dimensions (Unit mm) PNP Silicon epitaxial planar transistor MPT3 (SC-63) Features Low saturation voltage VCE (sat) = -0.35V (Max.) (IC / IB= -500mA / -25mA) (1) (2) (3) Applications (1) Base (2) Collector Driver (3) Emitter Abbreviated symbol ML Packaging specifications Inner circuit

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2SAR293P

2SAR293P5 Datasheet Middle Power Transistors (-30V / -1.0A) lOutline l Parameter Value MPT3 VCEO -30V IC -1A (SC-62) lFeatures l 1) Suitable for Middle Power Driver. lInner circuit l 2) Complementary NPN Types 2SCR293P5. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=-350mV(Max.). (IC/IB=-500mA/-25mA) lApplicati

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2SAR293P

2SAR293P 2SAR293PFRA Datasheet PNP -1.0A -30V Middle Power Transistor AEC-Q101 Qualified lOutline MPT3 Parameter Value VCEO -30V Base IC -1.0A Collector Emitter 2SAR293P 2SAR293PFRA lFeatures (SC-62) 1) Suitable for Middle Power Driver 2SCR293PFRA 2) Complementary NPN Types 2SCR293P 3) Low VCE(sat) VCE(sat)= -0.35V(Max.) (IC/IB= -500mA/ -25mA) 4) Le

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