2N5830 Todos los transistores

 

2N5830 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5830
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TO92
 

 Búsqueda de reemplazo de 2N5830

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2N5830 PDF detailed specifications

 ..1. Size:294K  fairchild semi
 2n5830.pdf pdf_icon

2N5830

Discrete POWER & Signal Technologies 2N5830 C TO-92 B E NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display driving. Sourced from Process 16. See 2N5551 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 100 V V Collector-... See More ⇒

 ..2. Size:50K  microelectronics
 2n5830 2n5831.pdf pdf_icon

2N5830

... See More ⇒

 ..3. Size:1285K  sprague
 2n5419 2n5420 2n5550 2n5551 2n5830 2n5831 2n5832 2n5998 2n5999 2n6008 2n6009 2n6076 2n6426 2n6427.pdf pdf_icon

2N5830

... See More ⇒

 9.1. Size:298K  rca
 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf pdf_icon

2N5830

... See More ⇒

SHOW MORE

Otros transistores... 2N5825 , 2N5826 , 2N5827 , 2N5827A , 2N5828 , 2N5828A , 2N5829 , 2N583 , 2N5401 , 2N5831 , 2N5832 , 2N5833 , 2N5834 , 2N5835 , 2N5836 , 2N5837 , 2N5838 .

 

 
Back to Top

 


 
.