2SAR542D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SAR542D  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 240 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 40 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: CPT3 SC-63 SOT-428

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2SAR542D datasheet

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2SAR542D

Midium Power Transistors (-30V / -5A) 2SAR542D Structure Dimensions (Unit mm) PNP Silicon epitaxial planar transistor CPT3 (SC-63) Features 1) Low saturation voltage VCE (sat) = -0.4V (Max.) (IC / IB= -2A / -100mA) 2) High speed switching (1) Base 9 Applications (2) Collector (3) Emitter

 7.1. Size:714K  rohm
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2SAR542D

2SAR542F3 Datasheet PNP -3.0A -30V Middle Power Transistor lOutline l Parameter Value HUML2020L3 VCEO -30V IC -3A 2SAR542F3 lFeatures l lInner circuit l 1) Suitable for Middle Power Driver. 2) Low VCE(sat) VCE(sat)=-0.20V(Max.). (IC/IB=-1A/-50mA) 3) High collector current. IC=-3A(max),

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2SAR542D

2SAR542P Data Sheet PNP -5.0A -30V Middle Power Transistor lOutline MPT3 Parameter Value VCEO -30V Base Collector IC -5.0A Emitter 2SAR542P lFeatures (SC-62) 1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary NPN Types 2SCR542P 3) Low VCE(sat) VCE(sat)= -0.4V Max. (IC/IB= -2A/ -100mA) 4) Lead Free/RoHS Compliant. lInner circuit Collector lApplications

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2SAR542D

2SAR542P FRA Datasheet Middle Power Transistor (-30V / -5A) AEC-Q101 Qualified lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO -30V IC -5A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage VCE(sat) =-400mV (Max.) (IC/IB=-2A/-100mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING l

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