2N5833 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5833  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 180 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO92

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2N5833 datasheet

 9.2. Size:294K  fairchild semi
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2N5833

Discrete POWER & Signal Technologies 2N5830 C TO-92 B E NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display driving. Sourced from Process 16. See 2N5551 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 100 V V Collector-

 9.3. Size:67K  mcc
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2N5833

MCC Micro Commercial Components 21201 Itasca Street Chatsworth 2N5832 CA 91311 Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features Through Hole Package Plastic-case Bipolar NPN Transistor Pin Configuration Bottom View C B E Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified TO-92 Symbol Parameter Min Max Units A E OFF CHARACTERISTICS V(BR)CEO Collector-Emitt

 9.4. Size:379K  no
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2N5833

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