2N5836 Todos los transistores

 

2N5836 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5836
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO46
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N5836 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:298K  rca
 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf pdf_icon

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 9.2. Size:294K  fairchild semi
 2n5830.pdf pdf_icon

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Discrete POWER & SignalTechnologies2N5830C TO-92BENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose highvoltage amplifiers and gas discharge display driving. Sourcedfrom Process 16. See 2N5551 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 100 VV Collector-

 9.3. Size:67K  mcc
 2n5832.pdf pdf_icon

2N5836

MCCMicro Commercial Components21201 Itasca Street Chatsworth 2N5832CA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Through Hole PackagePlastic-case BipolarNPN TransistorPin Configuration Bottom View C B EElectrical Characteristics @ 25C Unless Otherwise SpecifiedTO-92Symbol Parameter Min Max UnitsA EOFF CHARACTERISTICS V(BR)CEO Collector-Emitt

 9.4. Size:379K  no
 2n5839.pdf pdf_icon

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History: NB213HX | 2N6208 | DMC30401 | 2SD968A | TI607A

 

 
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