2SCR522M Todos los transistores

 

2SCR522M Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SCR522M
   Código: NC
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 400 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SC-105AA VMT3 SOT723
 

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2SCR522M datasheet

 7.1. Size:166K  rohm
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2SCR522M

General purpose transistor(20V,0.2A) 2SCR522M / 2SCR522EB / 2SCR522UB Structure Dimensions (Unit mm) NPN silicon epitaxial planar transistor VMT3 Features Complements the 2SAR522M / 2SAR522EB / 2SAR522UB. Abbreviated symbol NC Applications Switch, LED driver EMT3F (3) Packaging specifications Package VMT3 EMT3F UMT3F (1) (2) Packaging Type Taping Tapin

 8.1. Size:2014K  rohm
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2SCR522M

2SCR523M / 2SCR523EB / 2SCR523UB Datasheet NPN 100mA 50V General Purpose Transistor lOutline l Parameter Value SOT-723 SOT-416FL VCEO 50V IC 100mA 2SCR523M 2SCR523EB (VMT3) (EMT3F) SOT-323FL 2SCR523UB (UMT3F) lFeatures lInner circui

 8.2. Size:167K  rohm
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2SCR522M

General purpose transistor(50V,0.1A) 2SCR523M / 2SCR523EB / 2SCR523UB Structure Dimensions (Unit mm) NPN silicon epitaxial planar transistor VMT3 Features 1) Complements the 2SAR523M / 2SAR523EB / 2SAR523UB. Abbreviated symbol NB Applications Switch, LED driver EMT3F (3) Packaging specifications Package VMT3 EMT3F UMT3F (1) (2) Packaging Type Taping Tapi

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History: 2N342 | 2N3421ASM | 2S26A

 

 

 


 
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