Биполярный транзистор 2SCR522M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SCR522M
Маркировка: NC
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SC-105AA VMT3 SOT723
2SCR522M Datasheet (PDF)
2scr522eb.pdf
General purpose transistor(20V,0.2A) 2SCR522M / 2SCR522EB / 2SCR522UB Structure Dimensions (Unit : mm) NPN silicon epitaxial planar transistor VMT3Features Complements the 2SAR522M / 2SAR522EB / 2SAR522UB. Abbreviated symbol : NCApplications Switch, LED driver EMT3F(3)Packaging specifications Package VMT3 EMT3F UMT3F(1) (2)Packaging Type Taping Tapin
2scr523m 2scr523eb 2scr523ub.pdf
2SCR523M / 2SCR523EB / 2SCR523UBDatasheetNPN 100mA 50V General Purpose TransistorlOutlinelParameter Value SOT-723 SOT-416FLVCEO50VIC100mA 2SCR523M 2SCR523EB(VMT3) (EMT3F) SOT-323FL 2SCR523UB(UMT3F) lFeatures lInner circui
2scr523eb.pdf
General purpose transistor(50V,0.1A) 2SCR523M / 2SCR523EB / 2SCR523UB Structure Dimensions (Unit : mm) NPN silicon epitaxial planar transistor VMT3Features 1) Complements the 2SAR523M / 2SAR523EB / 2SAR523UB. Abbreviated symbol : NBApplications Switch, LED driver EMT3F(3)Packaging specifications Package VMT3 EMT3F UMT3F(1) (2)Packaging Type Taping Tapi
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
