2SCR533D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SCR533D
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 320 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
Paquete / Cubierta: CPT3 SC-63 SOT-428
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SCR533D
2SCR533D Datasheet (PDF)
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Midium Power Transistors (50V / 3A) 2SCR533D Structure Dimensions (Unit : mm)NPN Silicon epitaxial planar transistorCPT3 (SC-63) Features1) Low saturation voltageVCE (sat) = 0.35V (Max.) (IC / IB= 1A / 50mA)2) High speed switching 9(1) Base Applications(2) Collector (3) EmitterDriv
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2SCR533PDatasheetMiddle Power Transistors (50V / 3A)lOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO50VIC3AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltage, typicallyVCE(sat)=350mV(Max.)(IC/IB=1A/50mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING
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2SCR533P5DatasheetMiddle Power Transistors (50V / 3A)lOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO50VIC3AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltage, typicallyVCE(sat)=350mV(Max.)(IC/IB=1A/50mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHINGlPackaging specificati
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2SCR533P FRADatasheetMiddle Power Transistor (50V / 3A)AEC-Q101 QualifiedlOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO50VIC3AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltage, typicallyVCE(sat)=350mV(Max.)(IC/IB=1A/50mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING
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History: MRF536
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