Справочник транзисторов. 2SCR533D

 

Биполярный транзистор 2SCR533D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SCR533D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: CPT3 SC-63 SOT-428

 Аналоги (замена) для 2SCR533D

 

 

2SCR533D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  rohm
2scr533d.pdf

2SCR533D
2SCR533D

Midium Power Transistors (50V / 3A) 2SCR533D Structure Dimensions (Unit : mm)NPN Silicon epitaxial planar transistorCPT3 (SC-63) Features1) Low saturation voltageVCE (sat) = 0.35V (Max.) (IC / IB= 1A / 50mA)2) High speed switching 9(1) Base Applications(2) Collector (3) EmitterDriv

 7.1. Size:1910K  rohm
2scr533p.pdf

2SCR533D
2SCR533D

2SCR533PDatasheetMiddle Power Transistors (50V / 3A)lOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO50VIC3AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltage, typicallyVCE(sat)=350mV(Max.)(IC/IB=1A/50mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING

 7.2. Size:1805K  rohm
2scr533p5.pdf

2SCR533D
2SCR533D

2SCR533P5DatasheetMiddle Power Transistors (50V / 3A)lOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO50VIC3AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltage, typicallyVCE(sat)=350mV(Max.)(IC/IB=1A/50mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHINGlPackaging specificati

 7.3. Size:1548K  rohm
2scr533pfra.pdf

2SCR533D
2SCR533D

2SCR533P FRADatasheetMiddle Power Transistor (50V / 3A)AEC-Q101 QualifiedlOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO50VIC3AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltage, typicallyVCE(sat)=350mV(Max.)(IC/IB=1A/50mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top