2SD2657 Todos los transistores

 

2SD2657 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD2657
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 11 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 270
   Paquete / Cubierta: TSMT3
 

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2SD2657 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:67K  rohm
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2SD2657

2SD2657 Transistors Low frequency amplifier 2SD2657 External dimensions (Unit : mm) Application Low frequency amplifier TSMT3Driver 1.0MAX2.90.850.4 0.7(3) Features 1) A collector current is large. 1 22) VCE(sat) : max.350mV ( ) ( )0.95 0.950.16At IC = 1A / IB = 50mA 1.9(1) Base(2) EmitterEach lead has same dimensions(3) Collector Packaging

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2SD2657

2SD2657K Transistors Low frequency amplifier 2SD2657K External dimensions (Units : mm) Application Low frequency amplifier Driver 1.6 Features 2.81) A collector current is large. 2) VCE(sat) 350mV 0.3Min.At IC = 1A / IB = 50mA Each lead has same dimensionsROHM : SMT3 Abbreviated symbol : FZ (1) EmitterEIAJ : SC-59 (2) Base JEDEC : SOT-346 (3) Collector

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2SD2657KFRA AEC-Q101 Qualified 2SD2657KFRA

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2SD2657

2SD2657K Transistors Low frequency amplifier 2SD2657K External dimensions (Units : mm) Application Low frequency amplifier Driver 1.6 Features 2.81) A collector current is large. 2) VCE(sat) 350mV 0.3Min.At IC = 1A / IB = 50mA Each lead has same dimensionsROHM : SMT3 Abbreviated symbol : FZ (1) EmitterEIAJ : SC-59 (2) Base JEDEC : SOT-346 (3) Collector

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History: CT5652

 

 
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