2N5841 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5841
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO72
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N5841
2N5841 Datasheet (PDF)
2n5838 2n5839 2n5840.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5838 2N5839 2N5840 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS For use in switching power supply applications and other inductive switching circuits. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute max
2n5838 2n5839 2n5840.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5838 2N5839 2N5840 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High breakdown voltage APPLICATIONS For use in switching power supply and other inductive switching circuits. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collecto
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History: 2N6063
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Liste
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