QST2 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QST2
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 270
Encapsulados: TSMT6
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QST2 datasheet
qst2.pdf
QST2 Transistors General purpose amplification (-12V, -3A) QST2 External dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier Driver 2.8 1.6 Features 1) Collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat) -250mV at IC = -3A / IB = -60mA Each lead has same dimensions ROHM TSMT6 Abbreviated symbol T02 Equivalent circuit Abs
Otros transistores... 2SD2675, 2SD2696, 2SD2700, 2SD2701, 2SD2702, 2SD2703, 2SD2704K, 2SD2707, TIP127, QST3, QST4, QST5, QST6, QST7, QSX1, QSX2, QSX3
History: OC814
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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