DTA023JM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DTA023JM  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SC-105AA VMT3 SOT723

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DTA023JM datasheet

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DTA023JM

Data Sheet -100mA/-50V Digital transistors(with built-in resistors) DTA023JM / DTA023JEB / DTA023JUB Features Dimensions (Unit mm) 1) Built-in bias resistors enable the configuration of VMT3 an inverter circuit without connecting external input resistors. (See Equivalent circuit) 2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive bias

 8.1. Size:353K  rohm
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DTA023JM

DTA023Y series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline VMT3 EMT3F Parameter Value OUT OUT VCC -50V IN IN IC(MAX.) -100mA GND GND R1 2.2kW DTA023YM DTA023YEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 10kW UMT3F OUT lFeatures IN 1) Built-In Biasing Resistors. GND 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inve

 8.2. Size:1403K  rohm
 dta023eeb dta023em dta023eub.pdf pdf_icon

DTA023JM

DTA023E series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) lOutline l Parameter Value SOT-723 SOT-416FL VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 2.2k DTA023EM DTA023EEB R2 (VMT3) (EMT3F) 2.2k SOT-323FL lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 2.2k 2

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