DTA043ZEB Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DTA043ZEB  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 30 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SC-89 EMT3F SOT416FL

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DTA043ZEB datasheet

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DTA043ZEB

Data Sheet -100mA/-50V Digital transistors(with built-in resistors) DTA043ZM / DTA043ZEB / DTA043ZUB Features Dimensions (Unit mm) 1) Built-in bias resistors enable the configuration of VMT3 an inverter circuit without connecting external input resistors. (See Equivalent circuit) 2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive bi

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DTA043ZEB

-100mA/-50V Digital transistors(with built-in resistors) DTA043TM / DTA043TEB / DTA043TUB Features Dimensions (Unit mm) 1) Built-in input resistor enables the direct control of base terminal VMT3 by input voltage without external resistor. (See Inner circuit) 2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input. The

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DTA043ZEB

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DTA043ZEB

-100mA/-50V Digital transistors(with built-in resistors) DTA043EM / DTA043EEB / DTA043EUB Features Dimensions (Unit mm) 1) Built-in bias resistors enable the configuration of VMT3 an inverter circuit without connecting external input resistors. (See equivalent circuit) 2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positiv

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