DTA114EEB Todos los transistores

 

DTA114EEB Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTA114EEB
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 40 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SC-89 EMT3F SOT416FL
 

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DTA114EEB datasheet

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DTA114EEB

100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTA114EEB Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver EMT3F 1.6 0.7 0.26 Features (3) 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thin-film resistors (1) (2)

 6.1. Size:54K  motorola
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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA114EEF PNP resistor-equipped transistor 1999 May 21 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EEF FEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23 PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 1

 6.2. Size:57K  motorola
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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA114EE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification of circuit

 6.3. Size:54K  philips
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DTA114EEB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA114EEF PNP resistor-equipped transistor 1999 May 21 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EEF FEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23 PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 1

Otros transistores... DTA043EUB , DTA043ZEB , DTA043ZM , DTA043ZUB , DTA044EEB , DTA044EM , DTA044EUB , DTA113ZE , 13007 , DTA114EM , DTA114EUB , DTA114WE , DTA114YEB , DTA114YM , DTA114YUB , DTA115EEB , DTA115EM .

 

 
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