DTA114EEB Todos los transistores

 

DTA114EEB . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTA114EEB
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 40 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SC-89 EMT3F SOT416FL
 

 Búsqueda de reemplazo de DTA114EEB

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DTA114EEB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  rohm
dta114eeb.pdf pdf_icon

DTA114EEB

100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTA114EEB Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver EMT3F1.6 0.70.26 Features (3)1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thin-film resistors (1) (2)

 6.1. Size:54K  motorola
pdta114eef 2.pdf pdf_icon

DTA114EEB

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTA114EEFPNP resistor-equipped transistor1999 May 21Preliminary specificationSupersedes data of 1998 Nov 11Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114EEFFEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each)1

 6.2. Size:57K  motorola
pdta114ee 2.pdf pdf_icon

DTA114EEB

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA114EEPNP resistor-equipped transistorPreliminary specification 1998 Jul 23Supersedes data of 1997 Jul 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114EEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each) Simplification of circuit

 6.3. Size:54K  philips
pdta114eef 2.pdf pdf_icon

DTA114EEB

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTA114EEFPNP resistor-equipped transistor1999 May 21Preliminary specificationSupersedes data of 1998 Nov 11Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114EEFFEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each)1

Otros transistores... DTA043EUB , DTA043ZEB , DTA043ZM , DTA043ZUB , DTA044EEB , DTA044EM , DTA044EUB , DTA113ZE , 2N3906 , DTA114EM , DTA114EUB , DTA114WE , DTA114YEB , DTA114YM , DTA114YUB , DTA115EEB , DTA115EM .

History: KSY62A | HA21Y | 2SD2530 | 2SA1737 | 2SD1236L | FMMT5143

 

 
Back to Top

 


 
.