DTA114EEB - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

DTA114EEB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DTA114EEB
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SC-89 EMT3F SOT416FL

 Аналоги (замена) для DTA114EEB

 

DTA114EEB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  rohm
dta114eeb.pdfpdf_icon

DTA114EEB

100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTA114EEB Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver EMT3F 1.6 0.7 0.26 Features (3) 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thin-film resistors (1) (2)

 6.1. Size:54K  motorola
pdta114eef 2.pdfpdf_icon

DTA114EEB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA114EEF PNP resistor-equipped transistor 1999 May 21 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EEF FEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23 PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 1

 6.2. Size:57K  motorola
pdta114ee 2.pdfpdf_icon

DTA114EEB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA114EE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification of circuit

 6.3. Size:54K  philips
pdta114eef 2.pdfpdf_icon

DTA114EEB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA114EEF PNP resistor-equipped transistor 1999 May 21 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EEF FEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23 PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 1

Другие транзисторы... DTA043EUB , DTA043ZEB , DTA043ZM , DTA043ZUB , DTA044EEB , DTA044EM , DTA044EUB , DTA113ZE , 13007 , DTA114EM , DTA114EUB , DTA114WE , DTA114YEB , DTA114YM , DTA114YUB , DTA115EEB , DTA115EM .

History: RN1441 | KT732A | 2SC3777 | KT814B9 | RN1443 | DTC143TM | 2SC3781C

 

 
Back to Top

 


 
.