2N5848 Todos los transistores

 

2N5848 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5848
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 48 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 24 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 125 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 3
   Paquete / Cubierta: TO128
 

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2N5848 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:298K  rca
 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf pdf_icon

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 9.2. Size:108K  jmnic
 2n5838 2n5839 2n5840.pdf pdf_icon

2N5848

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5838 2N5839 2N5840 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS For use in switching power supply applications and other inductive switching circuits. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute max

 9.3. Size:117K  inchange semiconductor
 2n5838 2n5839 2n5840.pdf pdf_icon

2N5848

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5838 2N5839 2N5840 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High breakdown voltage APPLICATIONS For use in switching power supply and other inductive switching circuits. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collecto

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History: UMT1006

 

 
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