DTA123JEB Todos los transistores

 

DTA123JEB Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DTA123JEB

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SC-89 EMT3F SOT416FL

 Búsqueda de reemplazo de DTA123JEB

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DTA123JEB datasheet

 6.1. Size:54K  motorola
pdta123jef 1.pdf pdf_icon

DTA123JEB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA123JEF PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, halfpage 3 Simplification of circuit design R1 1 Red

 6.2. Size:57K  motorola
pdta123je 2.pdf pdf_icon

DTA123JEB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA123JE PNP resistor-equipped transistor Product specification 1998 Nov 25 Supersedes data of 1997 Dec 15 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) handbook, halfpage 3 3 Simplification of circuit d

 6.3. Size:54K  philips
pdta123jef 1.pdf pdf_icon

DTA123JEB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA123JEF PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, halfpage 3 Simplification of circuit design R1 1 Red

 6.4. Size:57K  philips
pdta123je 2.pdf pdf_icon

DTA123JEB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA123JE PNP resistor-equipped transistor Product specification 1998 Nov 25 Supersedes data of 1997 Dec 15 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) handbook, halfpage 3 3 Simplification of circuit d

Otros transistores... DTA114YEB , DTA114YM , DTA114YUB , DTA115EEB , DTA115EM , DTA123EE , DTA123EM , DTA123JE , 13003 , DTA123JM , DTA123JUA , DTA123JUB , DTA123YE , DTA124EE , DTA124EEB , DTA124EM , DTA124EUB .

History: BDW51C

 

 

 


History: BDW51C

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550

 

 

 

Popular searches

ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent

 

 

↑ Back to Top
.