DTB543EE Todos los transistores

 

DTB543EE . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTB543EE
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 4.7 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 260 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 115
   Paquete / Cubierta: EMT3
 

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DTB543EE Datasheet (PDF)

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DTB543EE

DTB543EE / DTB543EM Transistors -500mA / -12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTB543EE / DTB543EM Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver DTB543EE1.6 0.70.3 0.55 Feature ( )31) VCE (sat) is lower than conventional products. ( ) ( )2 12) Built-in bias resistors enable the configuration of an 0.2 0.20.15(1

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DTB543EE

DTB543XE / DTB543XM Transistors -500mA / -12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTB543XE / DTB543XM Applications External dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver DTB543XE1.6 0.70.550.3 Feature ( )31) VCE (sat) is lower than conventional products. ( ) ( )2 12) Built-in bias resistors enable the configuration of an 0.2 0.2

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DTB543EE

DTB543ZE / DTB543ZM Transistors -500mA / -12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTB543ZE / DTB543ZM Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver DTB543ZE1.6 0.70.3 0.55 Feature (3)1) VCE (sat) is lower than conventional products. ( ) ( )2 12) Built-in bias resistors enable the configuration of an 0.2 0.20.15(1) GND

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