DTB543EE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DTB543EE  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 4.7 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 260 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 115

Encapsulados: EMT3

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DTB543EE datasheet

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DTB543EE

DTB543EE / DTB543EM Transistors -500mA / -12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTB543EE / DTB543EM Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver DTB543EE 1.6 0.7 0.3 0.55 Feature ( ) 3 1) VCE (sat) is lower than conventional products. ( ) ( ) 2 1 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an 0.2 0.2 0.15 (1

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DTB543EE

DTB543XE / DTB543XM Transistors -500mA / -12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTB543XE / DTB543XM Applications External dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver DTB543XE 1.6 0.7 0.55 0.3 Feature ( ) 3 1) VCE (sat) is lower than conventional products. ( ) ( ) 2 1 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an 0.2 0.2

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DTB543EE

DTB543ZE / DTB543ZM Transistors -500mA / -12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTB543ZE / DTB543ZM Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver DTB543ZE 1.6 0.7 0.3 0.55 Feature (3) 1) VCE (sat) is lower than conventional products. ( ) ( ) 2 1 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an 0.2 0.2 0.15 (1) GND

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