KT815G9 Todos los transistores

 

KT815G9 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KT815G9
   Código: КТ815Г9
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: KT-89
 

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KT815G9 Datasheet (PDF)

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KT815G9

 9.2. Size:211K  inchange semiconductor
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KT815G9

isc Silicon NPN Power Transistor KT815ADESCRIPTIONHigh Collector Current-I = 1.5ACHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 40V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

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History: MP5179 | RN2103ACT

 

 
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