2N6316 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6316

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO-66

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2N6316 datasheet

 ..1. Size:131K  inchange semiconductor
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2N6316

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6315 2N6316 DESCRIPTION With TO-66 package Low collector saturation voltage Complement to type 2N6317/6318 APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol 3 Collect

 9.1. Size:165K  mospec
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2N6316

A A A A

 9.2. Size:196K  bocasemi
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2N6316

A Boca Semiconductor Corp. BSC http //www.bocasemi.com A Boca Semiconductor Corp. BSC http //www.bocasemi.com A Boca Semiconductor Corp. BSC http //www.bocasemi.com A Boca Semiconductor Corp. BSC http //www.bocasemi.com

 9.3. Size:131K  inchange semiconductor
 2n6312 2n6313 2n6314.pdf pdf_icon

2N6316

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6312 2N6313 2N6314 DESCRIPTION With TO-66 package Low collector saturation voltage Low leakage current APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol 3 Collector A

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