2N1182 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N1182

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 106 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.05 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de 2N1182

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2N1182 datasheet

 9.1. Size:267K  rca
 2n1180.pdf pdf_icon

2N1182

 9.2. Size:374K  rca
 2n1184-a-b.pdf pdf_icon

2N1182

 9.3. Size:735K  rca
 2n1183-a-b.pdf pdf_icon

2N1182

Otros transistores... 2N1176, 2N1176A, 2N1176B, 2N1177, 2N1178, 2N1179, 2N118, 2N1180, TIP42C, 2N1183, 2N1183A, 2N1183B, 2N1184, 2N1184A, 2N1184B, 2N1185, 2N1186