2N1182 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1182
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 106 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.05 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO3
Otros transistores... 2N1176 , 2N1176A , 2N1176B , 2N1177 , 2N1178 , 2N1179 , 2N118 , 2N1180 , 13009 , 2N1183 , 2N1183A , 2N1183B , 2N1184 , 2N1184A , 2N1184B , 2N1185 , 2N1186 .
History: 2N1147A
History: 2N1147A
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GN1A3Q | D965-KEHE | 2SD662B | 2SD661A | 2SC3080 | S9018L | S9012J | 2SA73L | 2SA73H | 2SA1015H | WT955 | TS13005CK | TP5001P3 | SS8550W-L | SS8550W-J | SS8550W-H | SS8550E | SS8550D | SS8550C | SS8050E | SS8050D