Биполярный транзистор 2N1182 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N1182
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 106 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.05 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO3

Другие транзисторы... 2N1176 , 2N1176A , 2N1176B , 2N1177 , 2N1178 , 2N1179 , 2N118 , 2N1180 , 2N3906 , 2N1183 , 2N1183A , 2N1183B , 2N1184 , 2N1184A , 2N1184B , 2N1185 , 2N1186 .