2N1182. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1182

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 106 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.05 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N1182

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1182 даташит

 9.1. Size:267K  rca
 2n1180.pdf pdf_icon

2N1182

 9.2. Size:374K  rca
 2n1184-a-b.pdf pdf_icon

2N1182

 9.3. Size:735K  rca
 2n1183-a-b.pdf pdf_icon

2N1182

Другие транзисторы: 2N1176, 2N1176A, 2N1176B, 2N1177, 2N1178, 2N1179, 2N118, 2N1180, TIP42C, 2N1183, 2N1183A, 2N1183B, 2N1184, 2N1184A, 2N1184B, 2N1185, 2N1186