2N5896 Todos los transistores

2N5896 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5896

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 57 W

Tensión colector-base (Vcb): 75 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 110 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.25 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO66

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros