2N5896 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5896
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 57 W
Tensión colector-base (Vcb): 75 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 110 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.25 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO66
Otros transistores... 2N588A , 2N589 , 2N5890 , 2N5891 , 2N5892 , 2N5893 , 2N5894 , 2N5895 , 2SD2012 , 2N5897 , 2N5898 , 2N5899 , 2N59 , 2N5900 , 2N5901 , 2N591 , 2N5910 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050