SC309 Todos los transistores

 

SC309 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SC309
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 112
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

SC309 Datasheet (PDF)

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SC309

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SC309

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SC309

2SC3099 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC3099 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure NF = 1.7dB, |S |2 = 15dB (f = 500 MHz) 21e NF = 2.5dB, |S |2 = 9.5dB (f = 1 GHz) 21eMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 20 VCollector-emitter voltage VCEO

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SC309

2SC3098 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC3098 UHF~C Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure NF = 2.5dB, |S |2 = 14.5dB (f = 500 MHz) 21e NF = 3.0dB, |S |2 = 9.0dB (f = 1 GHz) 21eMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 30 VCollector-emitter voltage VCEO

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History: SEMZ8 | KRA108S

 

 
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