Справочник транзисторов. SC309

 

Биполярный транзистор SC309 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SC309
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 112
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для SC309

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SC309 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  gdr
 sc307 sc308 sc309.pdf pdf_icon

SC309

 ..2. Size:123K  gdr
 bsy34 sc116 sc117 sc118 sc119 sc206 sc207 sc236 sc237 sc238 sc239 sc307 sc308 sc309.pdf pdf_icon

SC309

 0.1. Size:318K  toshiba
 2sc3099.pdf pdf_icon

SC309

2SC3099 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC3099 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure NF = 1.7dB, |S |2 = 15dB (f = 500 MHz) 21e NF = 2.5dB, |S |2 = 9.5dB (f = 1 GHz) 21eMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 20 VCollector-emitter voltage VCEO

 0.2. Size:318K  toshiba
 2sc3098.pdf pdf_icon

SC309

2SC3098 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC3098 UHF~C Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure NF = 2.5dB, |S |2 = 14.5dB (f = 500 MHz) 21e NF = 3.0dB, |S |2 = 9.0dB (f = 1 GHz) 21eMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 30 VCollector-emitter voltage VCEO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... SC206 , SC207 , SC236 , SC237 , SC238 , SC239 , SC307 , SC308 , MJE340 , SCE237 , SCE238 , SCE239 , SCE307 , SCE308 , SCE309 , SCE535 , SCE536 .

History: ECG2344 | MJE701T

 

 
Back to Top

 


 
.