SD338 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SD338

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 190 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: SOT89

 Búsqueda de reemplazo de SD338

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SD338 datasheet

 ..1. Size:123K  gdr
 sd168 sd335 sd336 sd337 sd338 sd339 sd340 sd345 sd346 sd347 sd348 sd349 sd350 sd600 sd601 sd602 sd802 sd812.pdf pdf_icon

SD338

 ..2. Size:148K  gdr
 sd335 sd336 sd337 sd338 sd339 sd340.pdf pdf_icon

SD338

 ..3. Size:321K  gdr
 sd336 sd338 sd340.pdf pdf_icon

SD338

 0.1. Size:196K  inchange semiconductor
 2sd338.pdf pdf_icon

SD338

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD338 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 70V(Min) (BR) CEO Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 2.0V(Max)@ I = 5A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SCE537, SCE538, SCE539, SCE540, SD168, SD335, SD336, SD337, SS8050, SD339, SD340, SD345, SD346, SD347, SD348, SD349, SD350