SD406 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SD406
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO220
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SD406 datasheet
wsd4062dn56.pdf
WSD4062DN56 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSD4062DN56 is the highest BVDSS RDSON ID performance trench N-Ch MOSFET with 40V 7.0m extreme high cell density , which provide 62A excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD4062DN56 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS
wsd4066dn.pdf
WSD4066DN Dual N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSD4066DN is the highest performance BVDSS RDSON ID trench Dual N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent 40V 17m 14A RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD4066DN meet the RoHS and High Frequency Point-of-Load Synch
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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