Биполярный транзистор SD406 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SD406
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO220
SD406 Datasheet (PDF)
wsd4062dn56.pdf
WSD4062DN56 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD4062DN56 is the highest BVDSS RDSON ID performance trench N-Ch MOSFET with 40V 7.0mextreme high cell density , which provide 62Aexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD4062DN56 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS
wsd4066dn.pdf
WSD4066DNDual N-Ch MOSFETGeneral Description Product Summery The WSD4066DN is the highest performance BVDSS RDSON ID trench Dual N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent 40V 17m 14ARDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD4066DN meet the RoHS and High Frequency Point-of-Load Synch
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
