SS8050W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SS8050W  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT-323

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SS8050W datasheet

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SS8050W

SS8050W NPN Silicon Elektronische Bauelemente General Purpose Transistor RoHS Compliant Product SOT-323 FEATURES Collector Dim Min Max 3 3 A 1.800 2.200 Power dissipation 1 1 B 1.150 1.350 2 Base PCM 0.2 W C 0.800 1.000 Collector Current D 0.300 0.400 2 ICM 1.5 A A G 1.200 1.400 Emitter L H 0.000 0.100 Collector-base voltage J 0.100 0.250 3 V(BR)CBO 40 V S To

 ..2. Size:1865K  slkor
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SS8050W

SS8050W NPN Transistors Features 3 High Collector Current Complementary to SS8550W 2 1.Base 2.Emitter 3.Collector 1 Simplified outline(SOT-323) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 1.5 A PC Collector Power Dissip

 ..3. Size:625K  cn cbi
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SS8050W

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SS8050W

MMSS8050W-L MCC TM Micro Commercial Components 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components MMSS8050W-H CA 91311 Phone (818) 701-4933 MMSS8050W-J Fax (818) 701-4939 Features SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors NPN Silicon Capable of 0.2 Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 1.5A Plastic-Encapsulate Collector-base Voltage 4

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